什么是絕緣電阻和漏電流？

　　在測試過程中，按下測試按鈕產(chǎn)生的高直流電壓將導(dǎo)致小（微安）電流流過導(dǎo)體和絕緣層。電流量取決于施加的電壓量、系統(tǒng)的電容、總電阻和材料的溫度。對于固定電壓，電流越大，電阻越低（E=IR，R=E/I）。總電阻是導(dǎo)體的內(nèi)阻（小值）加上以 MO 為單位的絕緣電阻的總和。

　　儀表上讀取的絕緣電阻值將是以下三個獨(dú)立子電流的函數(shù)。

　　傳導(dǎo)泄漏電流 (I L )傳導(dǎo)電流是通常流過絕緣層、導(dǎo)體之間或從導(dǎo)體到地的少量（微安）電流。該電流隨著絕緣的惡化而增加，并在吸收電流（見圖 1）消失后變得占主導(dǎo)地位。因為它相當(dāng)穩(wěn)定且與時間無關(guān)，所以這是測量絕緣電阻的最重要的電流。

　　當(dāng)前組件

　　容性充電泄漏電流 (I C )當(dāng)兩個或多個導(dǎo)體一起在滾道中運(yùn)行時，它們充當(dāng)電容器。由于這種電容效應(yīng)，泄漏電流會流過導(dǎo)體絕緣層。當(dāng)施加直流電壓時，該電流僅持續(xù)幾秒鐘，并在絕緣體充電至其*測試電壓后下降。在低電容設(shè)備中，電容電流高于傳導(dǎo)漏電流，但通常在我們開始記錄數(shù)據(jù)時就消失了。因此，在記錄之前讓讀數(shù)“穩(wěn)定下來"很重要。另一方面，在測試高電容設(shè)備時，電容充電泄漏電流可能會持續(xù)很長時間才能穩(wěn)定下來。

　　極化吸收漏電流 (I A )

　　吸收電流是由介電材料內(nèi)的分子極化引起的。在低電容設(shè)備中，最初幾秒鐘的電流很高，然后緩慢下降到幾乎為零。在處理高容量設(shè)備或潮濕污染的絕緣時，吸收電流長時間不會下降。